КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ

 ПОБЕДЫ В ТЕНДЕРАХ

Статистика по победам в тендерах



IGBT модули, соединенные по схеме с общим эмиттером

Печать

Основные особенности:

  • МОП-управление
  • NPT-технология
  • Низкий остаточный ток со слабой температурной зависимостью
  • Высокая стойкость к токам короткого замыкания
  • Встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с "мягкой" характеристикой обратного восстановления
  • Низкая внутренняя индуктивность корпусов модулей
  • Внутренняя изоляция обеспечивается DBC-керамикой из оксида или нитрида алюминия

Области применения:

  • Инверторы
  • Системы управления серводвигателями и роботами
  • Прерыватели постоянного тока
  • Системы управления скоростью вращения электродвигателей переменного тока
  • Индукционный нагрев
  • Источники бесперебойного питания
  • Электросварочное оборудование

Стандартные IGBT модули, соединенные по схеме с общим эмиттером 1200 В

Тип
VCES
IC
ICM
VCEsat
ton
td(off)
tf
Rthjc
Tj max
Visol
Корпус
Рекомендуемые драйверы
DC
tp=1ms
тип.
тип
тип
тип
V
A
A
V
μs
μs
μs
°C/W
°C
V
М2ТКИЕ-100-12
1200
100
200
2.5
0.30
0.60
0.07
0.10
150
2500
MI4
-
М2ТКИЕ-150-12
1200
150
300
2.5
0.30
0.60
0.07
0.10
150
2500
М2ТКИЕ-200-12
1200
200
400
2.5
0.19
0.55
0.08
0.09
150
2500
М2ТКИЕ-300-12
1200
300
600
2.5
0.30
0.72
0.08
0.05
150
2500

 

IGBT модули с низкими статическими потерями (LOW LOSS),соединенные по схеме с общим эмиттером 1200 В

Тип
VCES
IC
ICM
VCEsat
ton
td(off)
tf
Rthjc
Tj max
Visol
Корпус
Рекомендуемые драйверы
DC
tp=1ms
тип.
тип
тип
тип
V
A
A
V
μs
μs
μs
°C/W
°C
V
М2ТКИЕ-100-12Н
1200
100
200
2.1
0.11
0.40
0.08
0.16
150
2500
MI4
-
М2ТКИЕ-150-12Н
1200
150
300
2.1
0.13
0.57
0.05
0.10
150
2500
М2ТКИЕ-200-12Н
1200
200
400
2.1
0.13
0.57
0.05
0.08
150
2500
М2ТКИЕ-300-12Н
1200
300
600
2.1
0.19
0.57
0.08
0.05
150
2500

 

IGBT модули с оптимизированным динамическими и статическими потерями, соединенные по схеме с общим эмиттером

Тип
VCES
IC
ICM
VCEsat
ton
td(off)
tf
Rthjc
Tj max
Visol
Корпус
Рекомендуемые драйверы
DC
tp=1ms
тип.
тип
тип
тип
V
A
A
V
μs
μs
μs
°C/W
°C
V
М2ТКИЕ-100-12С
1200
100
200
1.9
0.25
0.46
0.06
0.15
150
2500
MI4
-
М2ТКИЕ-150-12С
1200
150
300
1.9
0.17
0.62
0.05
0.10
150
2500
М2ТКИЕ-300-12С
1200
300
600
1.9
0.17
0.80
0.06
0.05
150
2500

 

IGBT модули серии"TRENCH GATE", соединенные по схеме с общим эмиттером 1200 В

Тип
VCES
IC
ICM
VCEsat
ton
td(off)
tf
Rthjc
Tj max
Visol
Корпус
Рекомендуемые драйверы
DC
tp=1ms
тип.
тип
тип
тип
V
A
A
V
μs
μs
μs
°C/W
°C
V
М2ТКИЕ-150-12К
1200
150
300
1.7
0.4
0.65
0.18
0.16
150
2500
MI4
-
М2ТКИЕ-200-12К
1200
200
400
1.7
0.4
0.65
0.18
0.12
150
2500
М2ТКИЕ-300-12К
1200
300
600
1.7
0.4
0.65
0.18
0.09
150
2500

 

IGBT модули с низкими динамическими потерями, соединенные по схеме с общим эмиттером 1200 В

Тип
VCES
IC
ICM
VCEsat
ton
td(off)
tf
Rthjc
Tj max
Visol
Корпус
Рекомендуемые драйверы
DC
tp=1ms
тип.
тип
тип
тип
V
A
A
V
μs
μs
μs
°C/W
°C
V
М2ТКИЕ-100-12Ч
1200
100
200
3.2
0.17
0.55
0.04
0.16
150
2500
MI4
-
М2ТКИЕ-150-12Ч
1200
150
300
3.2
0.19
0.55
0.04
0.10
150
2500
М2ТКИЕ-200-12Ч
1200
200
400
3.2
0.23
0.59
0.07
0.02
150
2500
М2ТКИЕ-300-12Ч
1200
300
600
3.2
0.18
0.55
0.04
0.06
150
2500