- +7 (812) 305-35-88
- rill@rill.ru
IGBT модули, соединенные по схеме с общим эмиттером
Основные особенности:
- МОП-управление
- NPT-технология
- Низкий остаточный ток со слабой температурной зависимостью
- Высокая стойкость к токам короткого замыкания
- Встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с "мягкой" характеристикой обратного восстановления
- Низкая внутренняя индуктивность корпусов модулей
- Внутренняя изоляция обеспечивается DBC-керамикой из оксида или нитрида алюминия
Области применения:
- Инверторы
- Системы управления серводвигателями и роботами
- Прерыватели постоянного тока
- Системы управления скоростью вращения электродвигателей переменного тока
- Индукционный нагрев
- Источники бесперебойного питания
- Электросварочное оборудование
Возможно, Вас также заинтересует
IGBT модули одиночные ключи 1200 В
IGBT модули полумосты 1200 В
IGBT модули трехфазные инверторы 1200 В
IGBT модули чопперы 1200 ВСтандартные IGBT модули, соединенные по схеме с общим эмиттером 1200 В
|
Тип
|
VCES
|
IC
|
ICM
|
VCEsat
|
ton
|
td(off)
|
tf
|
Rthjc
|
Tj max
|
Visol
|
Корпус
|
Рекомендуемые драйверы
|
|
DC
|
tp=1ms
|
тип.
|
тип
|
тип
|
тип
|
|||||||
|
V
|
A
|
A
|
V
|
μs
|
μs
|
μs
|
°C/W
|
°C
|
V
|
|||
|
М2ТКИЕ-100-12
|
1200
|
100
|
200
|
2.5
|
0.30
|
0.60
|
0.07
|
0.10
|
150
|
2500
|
MI4
|
-
|
|
М2ТКИЕ-150-12
|
1200
|
150
|
300
|
2.5
|
0.30
|
0.60
|
0.07
|
0.10
|
150
|
2500
|
||
|
М2ТКИЕ-200-12
|
1200
|
200
|
400
|
2.5
|
0.19
|
0.55
|
0.08
|
0.09
|
150
|
2500
|
||
|
М2ТКИЕ-300-12
|
1200
|
300
|
600
|
2.5
|
0.30
|
0.72
|
0.08
|
0.05
|
150
|
2500
|
IGBT модули с низкими статическими потерями (LOW LOSS),соединенные по схеме с общим эмиттером 1200 В
|
Тип
|
VCES
|
IC
|
ICM
|
VCEsat
|
ton
|
td(off)
|
tf
|
Rthjc
|
Tj max
|
Visol
|
Корпус
|
Рекомендуемые драйверы
|
|
DC
|
tp=1ms
|
тип.
|
тип
|
тип
|
тип
|
|||||||
|
V
|
A
|
A
|
V
|
μs
|
μs
|
μs
|
°C/W
|
°C
|
V
|
|||
|
М2ТКИЕ-100-12Н
|
1200
|
100
|
200
|
2.1
|
0.11
|
0.40
|
0.08
|
0.16
|
150
|
2500
|
MI4
|
-
|
|
М2ТКИЕ-150-12Н
|
1200
|
150
|
300
|
2.1
|
0.13
|
0.57
|
0.05
|
0.10
|
150
|
2500
|
||
|
М2ТКИЕ-200-12Н
|
1200
|
200
|
400
|
2.1
|
0.13
|
0.57
|
0.05
|
0.08
|
150
|
2500
|
||
|
М2ТКИЕ-300-12Н
|
1200
|
300
|
600
|
2.1
|
0.19
|
0.57
|
0.08
|
0.05
|
150
|
2500
|
IGBT модули с оптимизированным динамическими и статическими потерями, соединенные по схеме с общим эмиттером
|
Тип
|
VCES
|
IC
|
ICM
|
VCEsat
|
ton
|
td(off)
|
tf
|
Rthjc
|
Tj max
|
Visol
|
Корпус
|
Рекомендуемые драйверы
|
|
DC
|
tp=1ms
|
тип.
|
тип
|
тип
|
тип
|
|||||||
|
V
|
A
|
A
|
V
|
μs
|
μs
|
μs
|
°C/W
|
°C
|
V
|
|||
|
М2ТКИЕ-100-12С
|
1200
|
100
|
200
|
1.9
|
0.25
|
0.46
|
0.06
|
0.15
|
150
|
2500
|
MI4
|
-
|
|
М2ТКИЕ-150-12С
|
1200
|
150
|
300
|
1.9
|
0.17
|
0.62
|
0.05
|
0.10
|
150
|
2500
|
||
|
М2ТКИЕ-300-12С
|
1200
|
300
|
600
|
1.9
|
0.17
|
0.80
|
0.06
|
0.05
|
150
|
2500
|
IGBT модули серии"TRENCH GATE", соединенные по схеме с общим эмиттером 1200 В
|
Тип
|
VCES
|
IC
|
ICM
|
VCEsat
|
ton
|
td(off)
|
tf
|
Rthjc
|
Tj max
|
Visol
|
Корпус
|
Рекомендуемые драйверы
|
|
DC
|
tp=1ms
|
тип.
|
тип
|
тип
|
тип
|
|||||||
|
V
|
A
|
A
|
V
|
μs
|
μs
|
μs
|
°C/W
|
°C
|
V
|
|||
|
М2ТКИЕ-150-12К
|
1200
|
150
|
300
|
1.7
|
0.4
|
0.65
|
0.18
|
0.16
|
150
|
2500
|
MI4
|
-
|
|
М2ТКИЕ-200-12К
|
1200
|
200
|
400
|
1.7
|
0.4
|
0.65
|
0.18
|
0.12
|
150
|
2500
|
||
|
М2ТКИЕ-300-12К
|
1200
|
300
|
600
|
1.7
|
0.4
|
0.65
|
0.18
|
0.09
|
150
|
2500
|
IGBT модули с низкими динамическими потерями, соединенные по схеме с общим эмиттером 1200 В
|
Тип
|
VCES
|
IC
|
ICM
|
VCEsat
|
ton
|
td(off)
|
tf
|
Rthjc
|
Tj max
|
Visol
|
Корпус
|
Рекомендуемые драйверы
|
|
DC
|
tp=1ms
|
тип.
|
тип
|
тип
|
тип
|
|||||||
|
V
|
A
|
A
|
V
|
μs
|
μs
|
μs
|
°C/W
|
°C
|
V
|
|||
|
М2ТКИЕ-100-12Ч
|
1200
|
100
|
200
|
3.2
|
0.17
|
0.55
|
0.04
|
0.16
|
150
|
2500
|
MI4
|
-
|
|
М2ТКИЕ-150-12Ч
|
1200
|
150
|
300
|
3.2
|
0.19
|
0.55
|
0.04
|
0.10
|
150
|
2500
|
||
|
М2ТКИЕ-200-12Ч
|
1200
|
200
|
400
|
3.2
|
0.23
|
0.59
|
0.07
|
0.02
|
150
|
2500
|
||
|
М2ТКИЕ-300-12Ч
|
1200
|
300
|
600
|
3.2
|
0.18
|
0.55
|
0.04
|
0.06
|
150
|
2500
|