КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ

 ПОБЕДЫ В ТЕНДЕРАХ

Статистика по победам в тендерах



IGBT и MOSFET модули

Печать
IGBT и MOSFET модули

Производитель Электрум АВ

Транзисторные модули делятся по типу используемого транзистора: либо MOSFET-транзисторы, либо IGBT-транзисторы.

MOSFET модули предназначены для эксплуатации в преобразователях с пиковым напряжением до 200 В; IGBT модули – от 600 В до 6500 В.

модули-аналоги

М10

корпус Е2

Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 2».

75 А/600 В

50,75,100,150 А/1200 В

М11

корпус Е2

Верхний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 2».

75 А/600 В

150 А/1200 В

М12

корпус Е2

Полумост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 2».

50,75,100,150 А/600 В

50,75,100,150 А/1200 В

М9

корпус Е3-2

Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 4».

200,300,400,600 А/1200 В

М10

корпус Е3-1

Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 3».

300 А/600 В

150,200,300,400 А/1200 В

М11-

корпус Е3-1

Верхний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 3».

300 А/600 В

150,200,300,400 А/1200 В

М12-

корпус Е3-1

Полумост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 3».

200,300,400,600 А/600 В

150,200,300,400 А/1200 В

М9.1

корпус М1

Два одиночных ключа на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

150,200,300,400 А/1200 В

М10

корпус М1

Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

350,450,600 А/600 В

150,200,300,400 А/1200 В

150,200,300 А/1700 В

М11

корпус М1

Верхний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

350,450,600 А/600 В

150,200,300,400 А/1200 В

150,200,300 А/1700 В

М12

корпус М1

Полумост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

350,450,600 А/600 В

150,200,300,400 А/1200 В

150,200,300 А/1700 В

М12.1

корпус М1

Встречновключённые транзисторы на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

350,450,600 А/600 В

150,200,300,400 А/1200 В

150,200,300 А/1700 В

М13А

корпус М1

Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

50,75,100,150 А/600 В

50,75,100 А/1200 В

50 А/1700 В

М13А4

корпус М1

Н-мост и чоппер на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

100 А/600 В

50 А/1200 В

М13А5

корпус М1

Трёхуровневый на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

150,200 А/600 В

200 А/1200 В

100 А/1700 В

М13Б

корпус М1

Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

150,200 А/1200 В

100,150 А/1700 В

М13Б1

корпус М1

Косой мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6.

150,200 А/1200 В

100,150 А/1700 В

М10

корпус М2

Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4.

200,300 А/600 В

50,75,100,150 А/1200 В

50 А/1700 В

М11

корпус М2

Верхний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4.

200,300 А/600 В

50,75,100,150 А/1200 В

50 А/1700 В

М12

корпус М2

Полумост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4.

200,300 А/600 В

50,75,100,150 А/1200 В

50 А/1700 В

М12.1

корпус М2

Встречновключённые транзисторы на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4.

100,200 А/600 В

50,75,100 А/1200 В

50 А/1700 В

М13Б

корпус М2

Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4.

100,150 А/600 В

50,75,100 А/1200 В

50 А/1700 В

М13Б1

корпус М2

Косой мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4.

100,150 А/600 В

50,75,100 А/1200 В

50 А/1700 В

М13Е

корпус М2

Н-мост и чоппер на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4.

50 А/600 В

25 А/1200 В

М13А

корпус S1

Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack2».

25,50 А/1200 В

 

М13Б

корпус S1

Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack2».

25,50 А/1200 В

 

М13А

корпус S2

Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack2».

25,50 А/1200 В

 

М13Б

корпус S2

Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack2».

25,50 А/1200 В

 

М13А

корпус S3

Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack3».

50,75,100 А/1200 В

 

М13Б

корпус S3

Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack3».

100,150 А/1200 В

 

М13А

корпус S4

Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack».

30 А/600 В

30 А/1200 В

М13А1

корпус S4

Трёхфазный инвертор и трёхфазный мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей

«Infineon» в корпусе типа «Easypack».

10,30 А/600 В

М13А2

корпус S4

Трёхфазный инвертор и однофазный мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей

«Infineon» в корпусе типа «Easypack».

10,30 А/600 В

М13Б

корпус S4

Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack».

30 А/600 В

 

М13Д

корпус S4

Трёхуровневый инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack».

30 А/600 В

 

М13А

корпус S5

Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack».

50,75 А/1200 В

 

М13А1

корпус S5

Трёхфазный инвертор и трёхфазный мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей

«Infineon» в корпусе типа «Easypack».

30 А/1200 В

М13Д

корпус S5

Трёхуровневый инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack».

30,50,75 А/1200 В

для монтажа на панель

М9 (MOSFET)

АЛЕИ.435744.041 ТУ

Модуль одиночного MOSFET ключа предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения

100,200,300,400,500 А/40 В

150,220,300,360,450 А/60 В

120,160,200,250,300,400А/100 В

120,160,200,240,320,400А/200 В

120,150,200,240,300 А/ 250 В

Частота переключения 300 кГц

М9(IGBT)

АЛЕИ.435744.031 ТУ

Одиночный IGBT модуль, зашунтированный обратным БВД, предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переклю­чения

исполнение 1

120,160,240А/600 В

50,100, 200, 300 А/1200 В

Частота переключения 100 кГц

М10

АЛЕИ.435744.031 ТУ

Последовательно- соединенные IGBT, за шунтированный обратным БВД, и БВД предназначен для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях

50, 100, 150, 200 А/1200 В

Частота до 100 кГц

М11

АЛЕИ.435744.031 ТУ

Последовательно- соединенные БВД и IGBT ключ, зашунтированный обратным БВД предназначены для применения в качестве коммути­рующих элементов в силовых преобразователях

50, 100, 150, 200А/1200 В

Частота до 100 кГц

М12

АЛЕИ.435744.031 ТУ

Два последовательно- соединенных MOSFET или IGBT ключа, зашунтированных обратными БВД предназначены для применения в качестве комму­тирующих элементов в силовых преобразователях

100,200,300,400,500А/ 40 В

75,150,220,300А/ 60 В

120,160,200,250 А/ 100 В

120,160,200 А/ 200 В

120 А/ 250 В

Частота до 300 кГц

60,120 А/ 600 В

50,100,150, 200 А/ 1200 В

Частота до 100 кГц

М12.1

АЛЕИ.435744.031 ТУ

Два встречно- соединенных MOSFET или IGBT ключа, зашунтированных обратными БВД предназначены для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях (3 силовых вывода – общий эмиттер/исток)

100,200,300,400,500А/ 40 В

75,150,220,300А/ 60 В

120,160,200,250 А/ 100 В

120,160,200 А/ 200 В

120 А/ 250 В

Частота до 300 кГц

60,120 А/ 600 В

50,100,150 А/ 1200 В

Частота до 100 кГц

М12Sic (MOSFET)

 

Модуль полумоста на основе высоковольтных быстродействующих MOSFET-транзисторов. Модуль предназначен для использования в высоковольтных высокочастотных импульсных преобразователях.

для монтажа на панель

М13А

АЛЕИ.435744.050 ТУ

М13А – Трехфазный инвертор

М9 (MOSFET)

АЛЕИ.435744.041 ТУ

М13МА

АЛЕИ.435744.050 ТУ

М13МА – Трехфазный инвертор в миниатюрном корпусе

 

М9(IGBT)

АЛЕИ.435744.031 ТУ

М13Б

АЛЕИ.435744.050 ТУ

М13Б – Транзисторный мост

М10

АЛЕИ.435744.031 ТУ

   

М11

АЛЕИ.435744.031 ТУ

   

М12

АЛЕИ.435744.031 ТУ

   

М12.1

АЛЕИ.435744.031 ТУ

М13МБ

АЛЕИ.435744.050 ТУ

М13МБ – Транзисторный мост в миниатюрном корпусе

5,10,20 А/ 100 В;

5,10,20 А/ 200 В;

Частота до 300 кГц

5,10,20 А/ 600 В;

Частота до 100кГц

М13В

АЛЕИ.435744.050 ТУ

Два «косых» моста

5,10,20 А/ 60 В;

5,10,20 А/ 100 В;

5,10,20 А/ 200 В;

5,10,20 А/ 250 В;

Частота до 300 кГц

5,10,20,30,40,50 А/ 600 В;

5,10,20,30,40,50 А/ 1200 В

Частота до 100кГц

М13Г

АЛЕИ.435744.050 ТУ

Силовая сборка включающая в себя шесть пар последовательно соединенных IGBT-транзисторов и FRD диодов

30 А / 600, 1200 В

М13МСГ

АЛЕИ.435744.050 ТУ

Силовая сборка включающая в себя шесть пар последовательно соединенных IGBT-транзисторов и FRD диодов (три пары по схеме «нижний ключ», три пары по схеме «верхний ключ»), в малогабаритном корпусе, предназначенная для создания преобразовательных устройств. 30 А / 600, 1200 В

для монтажа на печатную плату

М13А-ПП4

АЛЕИ.435744.050 ТУ

шести ключевые модули на MOSFET и IGBT, предназначенные для применения в маломощных инверторах и преобразователях в планарном корпусе

1, 2 А / 100, 200, 600 В

М13Б-ПП4

АЛЕИ.435744.050 ТУ

четырех ключевые модули на MOSFET и IGBT, предназначенные для применения в маломощных инверторах и преобразователях в планарном корпусе

1, 2 А / 100, 200, 600 В

высоковольтные модули

М9

АЛЕИ.435744.031 ТУ

Модуль транзисторный предназначен для коммутации мощных нагрузок

10 А / 1300 В

50, 100 А / 3300 В

25, 50 А / 6500 В

М12

АЛЕИ.435744.031 ТУ

Модуль транзисторный предназначен для коммутации мощных нагрузок

50, 100 А / 3300 В

25, 50 А / 6500 В

М12.1

АЛЕИ.435744.031 ТУ

Два встречно- соединенных IGBT ключа, зашунтированных обратными БВД предназначены для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях (3 силовых вывода – общий эмиттер/исток)

50,100 А/ 3300 В

50 А/ 6500 В

 

 

ДРАЙВЕРЫ IGBT (MOSFET)

Драйверы мощных транзисторов с полевым управлением представляют собой усилители – формирователи сигналов управления затворами транзисторов и предназначены для управления мощными транзисторами с полевым управлением (MOSFET или IGBT).

Тип прибора

Кол-во каналов

Uп В

Uупр В

Uиз В

Iвых имп А

Рвых Вт

fком кГц

Uкэ max В

Uас В

Примечания

Модули драйверов

МД180П-Б(1)

1

15

5(15)

4000

8

4

50

1700

-

 

МД280П-Б(1)

2 п/м

15

5(15)

4000

8

2х4

50

1700

-

 

2МД1180П-Б

2 у

15

5

4000

18

2х3

100

1700

-

 

МД2180П-Б

2 п/м

15

5

4000

18

2х3

100

1700

-

 

2МД180П-Б(1)

2 н

15

5(15)

4000

8

2х4

50

1700

-

 

МД2160П-Б

2 у

15

5

4000

16

2х4

50

-

-

 

МД150А

1

15/ -10

5 мА

4000

5

-

25

1700

-

Аналог М57962

МД1120П-А(1)

1

15

5 мА

4000

12

3

25

1700

-

Аналог VLA500-01

Драйверы

ДР180П-Б(1)

1

15

5(15)

4000

8

4

50

1700

-

 

ДРА180П-Б(1)

1

15

5(15)

7500

8

4

50

3300

3200

Аналог SKHI 10

ДР280П-Б(1)

2 п/м

15

5(15)

4000

8

2х4

50

1700

-

Аналог SKHI 23

2ДР180П-Б(1)

2 н

15

5(15)

4000

8

2х4

50

1700

-

 

ДРБ280П-Б(1)

2 у

15

5(15)

4000

8

2х4

200

1700

1200

 

ДР1300П-БВ

1

15

ВОЛС

7500

30

10

50

1700

1200

 

ДР2160П-Б1

2 п/м

15

15

4000

16

2х4

50

1700

-

Аналог Skyper32

ДР1480П-Б1

1

15

15

4000

48

10

50

1700

1200

Аналог 1SD1548AI

ДР280П-Б4

2 у

15

15

4000

16

2х4

50

1700

-

Аналог Skyper32 Pro

ДР1280П-БВ

1

15

ВОЛС

15000

28

6

50

6500

4400

Аналог 1SP0635, 1SD536F2, 1SD418F2

ДР2180П-Б1

2 п/м

15

5

7500

18

2х3

100

3300

-

Аналог 2SD315AI

ДР2180П-Б2

2 п/м

15

5

4000

18

2х3

100

1700

-

Аналог 2SD300С

ДР2180П-Б3

2 п/м

15

5

4000

18

2х3

100

1700

1200

Аналог 2SР0320Т

ДР2180П-Б4

2 п/м

15

5

4000

18

2х3

100

1700

1200

Аналог 2SР0115

ДР2180П-Б5

2 п/м

15

5

7500

18

2х3

100

3300

2400

Аналог 2SВ315А

ДР2180П-БВ

2 п/м

15

ВОЛС

7500

18

2х3

100

3300

2400

Аналог 2SD315В

ДР2180П-БВ1

2 п/м

15

ВОЛС

4000

18

2х3

100

1700

1200

Аналог 2SP0320V(S)

ДР6120П-А

6

(3 п/м)

15

5

4000

12

6х3

25

1700

-