- +7 (812) 305-35-88
- rill@rill.ru
IGBT и MOSFET модули
Транзисторные модули делятся по типу используемого транзистора: либо MOSFET-транзисторы, либо IGBT-транзисторы.
MOSFET модули предназначены для эксплуатации в преобразователях с пиковым напряжением до 200 В; IGBT модули – от 600 В до 6500 В.
модули-аналоги |
||
|
М10 корпус Е2 |
Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 2». |
75 А/600 В 50,75,100,150 А/1200 В |
|
М11 корпус Е2 |
Верхний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 2». |
75 А/600 В 150 А/1200 В |
|
М12 корпус Е2 |
Полумост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 2». |
50,75,100,150 А/600 В 50,75,100,150 А/1200 В |
|
М9 корпус Е3-2 |
Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 4». |
200,300,400,600 А/1200 В |
|
М10 корпус Е3-1 |
Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 3». |
300 А/600 В 150,200,300,400 А/1200 В |
|
М11- корпус Е3-1 |
Верхний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 3». |
300 А/600 В 150,200,300,400 А/1200 В |
|
М12- корпус Е3-1 |
Полумост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Semikron» и «Infineon» в корпусе типа «Semitrans 3». |
200,300,400,600 А/600 В 150,200,300,400 А/1200 В |
|
М9.1 корпус М1 |
Два одиночных ключа на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
150,200,300,400 А/1200 В |
|
М10 корпус М1 |
Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
350,450,600 А/600 В 150,200,300,400 А/1200 В 150,200,300 А/1700 В |
|
М11 корпус М1 |
Верхний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
350,450,600 А/600 В 150,200,300,400 А/1200 В 150,200,300 А/1700 В |
|
М12 корпус М1 |
Полумост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
350,450,600 А/600 В 150,200,300,400 А/1200 В 150,200,300 А/1700 В |
|
М12.1 корпус М1 |
Встречновключённые транзисторы на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
350,450,600 А/600 В 150,200,300,400 А/1200 В 150,200,300 А/1700 В |
|
М13А корпус М1 |
Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
50,75,100,150 А/600 В 50,75,100 А/1200 В 50 А/1700 В |
|
М13А4 корпус М1 |
Н-мост и чоппер на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
100 А/600 В 50 А/1200 В |
|
М13А5 корпус М1 |
Трёхуровневый на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
150,200 А/600 В 200 А/1200 В 100 А/1700 В |
|
М13Б корпус М1 |
Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
150,200 А/1200 В 100,150 А/1700 В |
|
М13Б1 корпус М1 |
Косой мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP6. |
150,200 А/1200 В 100,150 А/1700 В |
|
М10 корпус М2 |
Нижний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4. |
200,300 А/600 В 50,75,100,150 А/1200 В 50 А/1700 В |
|
М11 корпус М2 |
Верхний ключ на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4. |
200,300 А/600 В 50,75,100,150 А/1200 В 50 А/1700 В |
|
М12 корпус М2 |
Полумост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4. |
200,300 А/600 В 50,75,100,150 А/1200 В 50 А/1700 В |
|
М12.1 корпус М2 |
Встречновключённые транзисторы на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4. |
100,200 А/600 В 50,75,100 А/1200 В 50 А/1700 В |
|
М13Б корпус М2 |
Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4. |
100,150 А/600 В 50,75,100 А/1200 В 50 А/1700 В |
|
М13Б1 корпус М2 |
Косой мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4. |
100,150 А/600 В 50,75,100 А/1200 В 50 А/1700 В |
|
М13Е корпус М2 |
Н-мост и чоппер на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Microsemi» в корпусе типа SP4. |
50 А/600 В 25 А/1200 В |
|
М13А корпус S1 |
Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack2». |
25,50 А/1200 В
|
|
М13Б корпус S1 |
Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack2». |
25,50 А/1200 В
|
|
М13А корпус S2 |
Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack2». |
25,50 А/1200 В
|
|
М13Б корпус S2 |
Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack2». |
25,50 А/1200 В
|
|
М13А корпус S3 |
Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack3». |
50,75,100 А/1200 В
|
|
М13Б корпус S3 |
Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Econopack3». |
100,150 А/1200 В
|
|
М13А корпус S4 |
Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack». |
30 А/600 В 30 А/1200 В |
|
М13А1 корпус S4 |
Трёхфазный инвертор и трёхфазный мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack». |
10,30 А/600 В |
|
М13А2 корпус S4 |
Трёхфазный инвертор и однофазный мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack». |
10,30 А/600 В |
|
М13Б корпус S4 |
Н-мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack». |
30 А/600 В
|
|
М13Д корпус S4 |
Трёхуровневый инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack». |
30 А/600 В
|
|
М13А корпус S5 |
Трёхфазный инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack». |
50,75 А/1200 В
|
|
М13А1 корпус S5 |
Трёхфазный инвертор и трёхфазный мост на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack». |
30 А/1200 В |
|
М13Д корпус S5 |
Трёхуровневый инвертор на основе IGBT-транзисторов и БВД. Является аналогом силовых модулей «Infineon» в корпусе типа «Easypack». |
30,50,75 А/1200 В |
для монтажа на панель |
||
|
М9 (MOSFET) АЛЕИ.435744.041 ТУ |
Модуль одиночного MOSFET ключа предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения |
100,200,300,400,500 А/40 В 150,220,300,360,450 А/60 В 120,160,200,250,300,400А/100 В 120,160,200,240,320,400А/200 В 120,150,200,240,300 А/ 250 В Частота переключения 300 кГц |
|
М9(IGBT) АЛЕИ.435744.031 ТУ |
Одиночный IGBT модуль, зашунтированный обратным БВД, предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения |
исполнение 1 120,160,240А/600 В 50,100, 200, 300 А/1200 В Частота переключения 100 кГц |
|
М10 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
Последовательно- соединенные IGBT, за шунтированный обратным БВД, и БВД предназначен для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях |
50, 100, 150, 200 А/1200 В Частота до 100 кГц |
|
М11 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
Последовательно- соединенные БВД и IGBT ключ, зашунтированный обратным БВД предназначены для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях |
50, 100, 150, 200А/1200 В Частота до 100 кГц |
|
М12 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
Два последовательно- соединенных MOSFET или IGBT ключа, зашунтированных обратными БВД предназначены для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях |
100,200,300,400,500А/ 40 В 75,150,220,300А/ 60 В 120,160,200,250 А/ 100 В 120,160,200 А/ 200 В 120 А/ 250 В Частота до 300 кГц 60,120 А/ 600 В 50,100,150, 200 А/ 1200 В Частота до 100 кГц |
|
М12.1 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
Два встречно- соединенных MOSFET или IGBT ключа, зашунтированных обратными БВД предназначены для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях (3 силовых вывода – общий эмиттер/исток) |
100,200,300,400,500А/ 40 В 75,150,220,300А/ 60 В 120,160,200,250 А/ 100 В 120,160,200 А/ 200 В 120 А/ 250 В Частота до 300 кГц 60,120 А/ 600 В 50,100,150 А/ 1200 В Частота до 100 кГц |
|
М12Sic (MOSFET)
|
Модуль полумоста на основе высоковольтных быстродействующих MOSFET-транзисторов. Модуль предназначен для использования в высоковольтных высокочастотных импульсных преобразователях. |
для монтажа на панель |
|
М13А АЛЕИ.435744.050 ТУ |
М13А – Трехфазный инвертор |
М9 (MOSFET) АЛЕИ.435744.041 ТУ |
|
М13МА АЛЕИ.435744.050 ТУ |
М13МА – Трехфазный инвертор в миниатюрном корпусе
|
М9(IGBT) АЛЕИ.435744.031 ТУ |
|
М13Б АЛЕИ.435744.050 ТУ |
М13Б – Транзисторный мост |
М10 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
|
М11 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
||
|
М12 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
||
|
М12.1 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
||
|
М13МБ АЛЕИ.435744.050 ТУ |
М13МБ – Транзисторный мост в миниатюрном корпусе |
5,10,20 А/ 100 В; 5,10,20 А/ 200 В; Частота до 300 кГц 5,10,20 А/ 600 В; Частота до 100кГц |
|
М13В АЛЕИ.435744.050 ТУ |
Два «косых» моста |
5,10,20 А/ 60 В; 5,10,20 А/ 100 В; 5,10,20 А/ 200 В; 5,10,20 А/ 250 В; Частота до 300 кГц 5,10,20,30,40,50 А/ 600 В; 5,10,20,30,40,50 А/ 1200 В Частота до 100кГц |
|
М13Г АЛЕИ.435744.050 ТУ |
Силовая сборка включающая в себя шесть пар последовательно соединенных IGBT-транзисторов и FRD диодов |
30 А / 600, 1200 В |
|
М13МСГ АЛЕИ.435744.050 ТУ |
Силовая сборка включающая в себя шесть пар последовательно соединенных IGBT-транзисторов и FRD диодов (три пары по схеме «нижний ключ», три пары по схеме «верхний ключ»), в малогабаритном корпусе, предназначенная для создания преобразовательных устройств. | 30 А / 600, 1200 В |
для монтажа на печатную плату |
||
|
М13А-ПП4 АЛЕИ.435744.050 ТУ |
шести ключевые модули на MOSFET и IGBT, предназначенные для применения в маломощных инверторах и преобразователях в планарном корпусе |
1, 2 А / 100, 200, 600 В |
|
М13Б-ПП4 АЛЕИ.435744.050 ТУ |
четырех ключевые модули на MOSFET и IGBT, предназначенные для применения в маломощных инверторах и преобразователях в планарном корпусе |
1, 2 А / 100, 200, 600 В |
высоковольтные модули |
||
|
М9 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
Модуль транзисторный предназначен для коммутации мощных нагрузок |
10 А / 1300 В 50, 100 А / 3300 В 25, 50 А / 6500 В |
|
М12 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
Модуль транзисторный предназначен для коммутации мощных нагрузок |
50, 100 А / 3300 В 25, 50 А / 6500 В |
|
М12.1 АЛЕИ.435744.031 ТУ |
Два встречно- соединенных IGBT ключа, зашунтированных обратными БВД предназначены для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях (3 силовых вывода – общий эмиттер/исток) |
50,100 А/ 3300 В 50 А/ 6500 В
|
ДРАЙВЕРЫ IGBT (MOSFET)
Драйверы мощных транзисторов с полевым управлением представляют собой усилители – формирователи сигналов управления затворами транзисторов и предназначены для управления мощными транзисторами с полевым управлением (MOSFET или IGBT).
|
Тип прибора |
Кол-во каналов |
Uп В |
Uупр В |
Uиз В |
Iвых имп А |
Рвых Вт |
fком кГц |
Uкэ max В |
Uас В |
Примечания |
|
Модули драйверов |
||||||||||
|
МД180П-Б(1) |
1 |
15 |
5(15) |
4000 |
8 |
4 |
50 |
1700 |
- |
|
|
МД280П-Б(1) |
2 п/м |
15 |
5(15) |
4000 |
8 |
2х4 |
50 |
1700 |
- |
|
|
2МД1180П-Б |
2 у |
15 |
5 |
4000 |
18 |
2х3 |
100 |
1700 |
- |
|
|
МД2180П-Б |
2 п/м |
15 |
5 |
4000 |
18 |
2х3 |
100 |
1700 |
- |
|
|
2МД180П-Б(1) |
2 н |
15 |
5(15) |
4000 |
8 |
2х4 |
50 |
1700 |
- |
|
|
МД2160П-Б |
2 у |
15 |
5 |
4000 |
16 |
2х4 |
50 |
- |
- |
|
|
МД150А |
1 |
15/ -10 |
5 мА |
4000 |
5 |
- |
25 |
1700 |
- |
Аналог М57962 |
|
МД1120П-А(1) |
1 |
15 |
5 мА |
4000 |
12 |
3 |
25 |
1700 |
- |
Аналог VLA500-01 |
|
Драйверы |
||||||||||
|
ДР180П-Б(1) |
1 |
15 |
5(15) |
4000 |
8 |
4 |
50 |
1700 |
- |
|
|
ДРА180П-Б(1) |
1 |
15 |
5(15) |
7500 |
8 |
4 |
50 |
3300 |
≤3200 |
Аналог SKHI 10 |
|
ДР280П-Б(1) |
2 п/м |
15 |
5(15) |
4000 |
8 |
2х4 |
50 |
1700 |
- |
Аналог SKHI 23 |
|
2ДР180П-Б(1) |
2 н |
15 |
5(15) |
4000 |
8 |
2х4 |
50 |
1700 |
- |
|
|
ДРБ280П-Б(1) |
2 у |
15 |
5(15) |
4000 |
8 |
2х4 |
200 |
1700 |
≤1200 |
|
|
ДР1300П-БВ |
1 |
15 |
ВОЛС |
7500 |
30 |
10 |
50 |
1700 |
≤1200 |
|
|
ДР2160П-Б1 |
2 п/м |
15 |
15 |
4000 |
16 |
2х4 |
50 |
1700 |
- |
Аналог Skyper32 |
|
ДР1480П-Б1 |
1 |
15 |
15 |
4000 |
48 |
10 |
50 |
1700 |
≤1200 |
Аналог 1SD1548AI |
|
ДР280П-Б4 |
2 у |
15 |
15 |
4000 |
16 |
2х4 |
50 |
1700 |
- |
Аналог Skyper32 Pro |
|
ДР1280П-БВ |
1 |
15 |
ВОЛС |
15000 |
28 |
6 |
50 |
6500 |
≤4400 |
Аналог 1SP0635, 1SD536F2, 1SD418F2 |
|
ДР2180П-Б1 |
2 п/м |
15 |
5 |
7500 |
18 |
2х3 |
100 |
3300 |
- |
Аналог 2SD315AI |
|
ДР2180П-Б2 |
2 п/м |
15 |
5 |
4000 |
18 |
2х3 |
100 |
1700 |
- |
Аналог 2SD300С |
|
ДР2180П-Б3 |
2 п/м |
15 |
5 |
4000 |
18 |
2х3 |
100 |
1700 |
≤1200 |
Аналог 2SР0320Т |
|
ДР2180П-Б4 |
2 п/м |
15 |
5 |
4000 |
18 |
2х3 |
100 |
1700 |
≤1200 |
Аналог 2SР0115 |
|
ДР2180П-Б5 |
2 п/м |
15 |
5 |
7500 |
18 |
2х3 |
100 |
3300 |
≤2400 |
Аналог 2SВ315А |
|
ДР2180П-БВ |
2 п/м |
15 |
ВОЛС |
7500 |
18 |
2х3 |
100 |
3300 |
≤2400 |
Аналог 2SD315В |
|
ДР2180П-БВ1 |
2 п/м |
15 |
ВОЛС |
4000 |
18 |
2х3 |
100 |
1700 |
≤1200 |
Аналог 2SP0320V(S) |
|
ДР6120П-А |
6 (3 п/м) |
15 |
5 |
4000 |
12 |
6х3 |
25 |
1700 |
- |
|